摘要：继三星电子交付全球首批HBM4E样品后，SK海力士也有望加速交付进度。据韩媒报道，据业内人士12日透露，SK海力士正准备向主要客户提供HBM4E样品，最早可能在本月（6月）开始发货，最迟下个月也将
继三星电子交付全球首批HBM4E样品后，SK海力士也有望加速交付进度。
据韩媒报道，据业内人士12日透露，SK海力士正准备向主要客户提供HBM4E样品，最早可能在本月（6月）开始发货，最迟下个月也将开始。
这一时点比原计划更早。SK海力士此前在第一季度财报电话会议上表示“内部计划在下半年提供样品”。
业内人士认为，考虑到HBM4E计划于明年量产，客户验证和优化工作必须在今年下半年进行，因此样品供应指日可待。
HBM（高带宽存储器）是AI加速芯片的核心配套部件，其带宽与容量直接决定AI训练与推理的效率。当前，HBM市场由三星、SK海力士和美光主导，SK海力士为当前HBM市场的份额领导者。
HBM4E是第七代HBM，预计SK海力士的HBM4E将被用于英伟达的下一代AI加速器“Rubin Ultra”中，Rubin Ultra计划于明年发布。6月2日，黄仁勋参观了在中国台湾举行的2026年台北国际电脑展SK海力士展位，并在HBM4E晶圆上留言：“请多生产一些。”
另外，美光的HBM4产能爬坡进展顺利，计划于2027年量产HBM4E，消息称其HBM4E将采用10纳米级第六代1γ工艺，这是美光首次在量产工艺中引入EUV光刻设备，基础裸片将委托台积电制造。
TrendForce此前指出，上述三大供应商正逐步将产业重心由良率竞争转向定价权与下世代规格主导，虽传统DRAM利润率短期反超HBM，供货商仍维持均衡产品组合，并看好HBM长期合约价走高，横向对比来看，当前除HBM以外的各类DDR及消费级存储，历经前期多轮涨价后价格已整体处于相对高位，而HBM的涨价红利尚未充分释放。
（文章来源：财联社）
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