布局下一代光通信技术 联电牵手哈佛系初创量产TFLN平台

晶圆代工大厂联电（UMC）周四宣布，与来自哈佛大学纳米光学实验室的创业企业HyperLight建立制造伙伴关系，加速量产后者的TFLN Chiplet（薄膜铌酸锂晶片）平台。

（来源：公司公告）

据悉，HyperLight此前已经与联电旗下的联颖光电（Wavetek）将TFLN光子技术从实验室创新推进到面向客户的6英寸晶圆制造产线。在此基础上，联电将进一步提供8英寸晶圆生产能力，以满足AI基础设施大规模部署所带来的生产需求。

（来源：HyperLight、联电）

当前主流的硅光子技术，是将包括调制器在内的所有光学器件都构建在硅基材料之上。随着科技公司希望更好地实现电子电路与光传输的集成，这一路线目前是更为成熟、应用更广的技术路径。不过，该技术仍存在一些局限，例如功耗较高、速度受限等问题，因此业界开始关注能够突破这些瓶颈的新材料。

联电资深副总经理洪圭钧对媒体介绍称，为了实现1.6T（每秒）及更高的带宽，薄膜铌酸锂正成为一种前景向好的材料，有望支撑下一代数据中心互连所需的超高带宽。

洪圭钧也表示，预计到2027年，公司将推出自有光子技术平台，能够将光子系统与其内部的先进封装能力进行整合，从而为客户提供完整的一体化解决方案。

HyperLight首席执行官张勉表示，薄膜铌酸锂一直被认为是光互连未来最重要的技术之一，但业界一直在等待走向真正规模制造的路径。

张勉特别强调，TFLN Chiplet平台自设计之初便以支持AI基础设施的大规模量产为目标，整合了数据中心短距离可插拔模块、长距离相干数据通信与电信模块，以及共封装光学（CPO）等应用场景。

值得一提的是，联电也在押注硅光子赛道。去年12月，联电与比利时半导体研究机构imec签署技术授权协议，引入后者开发的iSiPP300硅光子制造工艺。借助这项技术，联电将推出基于12英寸晶圆的硅光子平台。

（文章来源：财联社）